50W 808nm Multi Emitter Laser Chip
50W 808nm Multi Emitter Laser Chip er umonteret laserstang. Laserstangen kan betragtes som en enkelt laserstang dannet af flere enkelte halvlederemittere side om side, hvilket kaldes en stang. I det væsentlige er det dannet ved at bygge en række enkelt-halvlederlaser-emittere på det samme substrat, som også kan kaldes en lineær array-laser. Enkelt forstået er flere enkelte emittere arrangeret i en bjælke, og en bjælke kan opdeles i flere enkelte emittere.
Laserbjælken har højere lysstyrke på grund af dens mange lyspunkter, så den bruges ofte som pumpekilde eller direkte luminescens for høj-fiberlasere og alle solid state-lasere. Det er også meget udbredt inden for medicinske, militære og andre områder. På nuværende tidspunkt kan den maksimale effekt af et enkelt laserrør i Kina nå 20W, mens laserstangen kan opnå 300W eller højere effekt.

Datablad
Varenr: LC808SB50
| Optisk | |
| Central bølgelængde | 808nm |
| Udgangseffekt | 50W |
| Arbejdstilstand | CW |
| Spektrumbredde | 4nm |
| Spektrumbredde | 19 |
| Emitterbredde | 150 um |
| Emitter Pitch | 500um |
| Fyldningsfaktor | 30% |
| Bar Bredde | 10000um |
| Kavitets længde | 1000um |
| Kavitets længde | 125 um |
| Fast Axis Divergence (FWHM) | 39 grader |
| Langsom akse divergens (FWHM) | 9 grader |
| Polarisationstilstand | TE |
| Skråningseffektivitet | 1.15W/A |
| Elektrisk | |
| Driftsstrøm Iop | 48.5A |
| Tærskelstrøm Ith | 6A |
| Driftsspænding Vop | 1.8V |
| Konverteringseffektivitet | 57% |
| Termisk | |
| Driftstemperatur | 25 grader |
| Bølgelængde temperaturkoefficient | 0,28nm/grad |
Tegning:

Populære tags: 50w 808nm multi emitter laser chip leverandører, producenter Kina, fabrik, engros, lavet i Kina










