Beskrivelse
1W 940nm VCSEL-laserchip
Mekaniske specifikationer
Dimensioner
foran: 51 mil × 45 mil (1280±25um ×1130±25um)
bagside: 51 mil × 45 mil (1280±25um ×1130±25um)
tykkelse: 6mil (150±25um)
hæftepude: 92±15um×1070±15um×2
Blænde: 7±2 um
Emissionspitch: 44±1 um
Antal emissioner: 621
Materialer og strukturer
substrat: GaAs
p-metallisering: Au-legering
n-metallisering: Au-legering
epitaksial struktur: InGaAs MQWs
Egenskaber
| Parameter | Typ. |
| Center bølgelængde | 940±10nm |
| Udgangseffekt | 3W |
| Fremadspænding | 1.95V |
| Halv bølge | 1,1 nm |
| Skråningseffektivitet | 1.02W/A |
| Dominerende bølgelængde | 44,1 procent |
| Bølgelængde Temp. Koefficient | 0.07nm/grad |
| Omvendt strøm | 1uA |
Populære tags: 3w 940nm vcsel laser chip leverandører, producenter Kina, fabrik, engros, lavet i Kina