1 • fremadgående karakteristik
I elektroniske kredsløb vil diodeens anode i den varme ende, negativ i den lave ende, dioden gennemføre denne forbindelse, kendt som den forreste bias. Må sige, når diodens fremadspænding er meget lille, kan dioden stadig ikke passere, den fremadgående strøm strømmer gennem dioden er meget svag. Først når spændingen når en bestemt værdi (denne værdi kaldes" tærskelspænding" GE-rør er ca. 0,2V, Silicon er ca. 0,6V), diodeledningen. Breakout-diodespændinger forbliver i det væsentlige uændrede (GE-rør er ca. 0,3 V, siliciumrør er ca. 0,7 V), kaldet diode" trykfald" ;.
2 • omvendt karakteristik
I elektroniske kredsløb er diodeens anode i den kølige ende, negativ i den varme ende, lidt strøm i dioden og dioden i en tilstand som på dette tidspunkt, denne form for forbindelse, kendt som omvendt bias. Når dioden er omvendt forspændt, vil der stadig være en svag omvendt strøm, der strømmer gennem dioden, kendt som lækstrøm. Når diodens omvendte spænding øges til en bestemt værdi, omvendt strøm øges betydeligt, vil dioden miste ledningsevne i en retning, denne tilstand kaldes nedbrydningen af dioden. Injiceret strøm skal være større end den kritiske strømtæthed for laserdioden, laser til omvendte betingelser er opfyldt og udsendt. Kritisk strømtæthed og overfladetemperatur og indirekte fordel. Drift ved høje temperaturer, kritisk strømforøgelse, rentabilitet og nedsættelse eller endda beskadigelse af komponenter.