Ledningsafkølet G-Stack-diodelaserarray med høj effekt

Nov 14, 2019

Læg en besked

Specielt design tilmilitær, pumpning, belysning og direkte diode behov.

Fire modeller til forskellige anvendelser. Bølgelængden er 808nm og 9XXnm.

15735432168920561


Optisk

Centerbølgelængde λ

808 nm ± 3 nm9xxnm ± 3 nm

Udgangseffekt pr. Bar

100/200/300
100
Spektral bredde FWHM≤4 nm≤4 nm

Antal søjler

1~36
1~36

Hurtig aksedivergens (FWHM)

GG lt; 40
GG lt; 40

Langsom aksedivergens (FWHM)

GG lt; 12
GG lt; 12

Polariseringstilstand

TE
TE

Elektrisk

Driftsstrøm Iop

100/200/300A100A

Tærskelstrøm Ith

15/20/25A10A

Driftsspænding Vo

≤2V / bar

≤2V / bar

Effektivitet til effektkonvertering

≥45%

≥45%

Termisk

Driftstemperatur

-45~60℃

-45~60℃

Stuetemperatur

-55~80℃

-55~80℃

Bedste temperatur

25℃

25℃



300W 940nm Laser Diode Stack for Military